Transistoren

Kosten): 20pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 180. Collectorstroom: 1A. Markering op de kast: BA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89 (SC-62). Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 39pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126ML. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Functie: NF/SL. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1683. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 50pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: NF-E-L. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal vlak type . Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): SC-67. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 95pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: High-Current switching, low-sat. Collectorstroom: 8A. Id(imp): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf (type): 20 ns. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1804. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 320 MHz. Functie: Stroboscoopschakeling met hoge stroomsterkte. Collectorstroom: 5A. Let op: hFE 140...280. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Spec info: TO-251 (I-Pak)

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Collectorstroom: 3A. Let op: =4000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 110V

Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 82. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: TU2. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): ATV. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 32V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 2A. Let op: hFE 180...390. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Spec info: 2SB1240R

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 82. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 4.5A. Markering op de kast: B1243 (RN). Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiaal vlak type . Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): ATV. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: laagfrequente eindversterker. Collectorstroom: 3A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1913

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 3A. Let op: >2000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 100V

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Collectorstroom: 6A. Let op: =10000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 120V

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Maximale hFE-versterking: 10000. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1933

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 9 MHz. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1913

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: optimaal voor 120W hifi-uitgang. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 3500. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planair type darlington met drievoudige diffusie . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TOP-3L. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L. Maximale hFE-versterking: 5000. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2390

Darlington-transistor?: 1. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: hFE 5000. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN ( MT-100 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2390. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2394

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L. Collectorstroom: 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2401

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65 MHz. Functie: hFE 5000. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2438. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hFE 5000. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2439. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P ( SOT-93 ). Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 110V

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Collectorstroom: 6A. Let op: >5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2495

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 45 MHz. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Functie: HI-FI Audio Eindversterker en regelaar. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2560

Kosten): 100pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Minimale hFE-versterking: 5000. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): MT-25 (TO220). Type transistor: PNP. Vcbo: 110V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2589. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS