Kosten): 27pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Vcbo: 180V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD669A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS