Toshiba 2SK2662 N-Kanaal MOSFET, 500V, 5A, 1.35 Ohm, TO-220FP Behuizing

Technische beschrijving van het product (2SK2662):

Drain-Source Spanning Vds(max): 500V. Drain-Source Lekstroom Idss(max): 100uA. Continue Drainstroom Id (T=25°C): 5A. On-State Weerstand Rds(On): 1.35 Ohm. Behuizing (volgens datasheet): TO-220FP. Behuizing: TO-220FP. RoHS-conform: Ja. Aantal aansluitingen: 3. Montagetype: Doorsteekmontage. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Hogesnelheidsschakeling, Zener-beveiligd. Technologie: Veld Effect Transistor (TT-MOS V). Gate-Source Bescherming: Ja. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 60 ns. Inschakelvertragingstijd Td(on): 25 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 20A. Behuizingmarkering: K2662. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 2V. Ingangscapaciteit C(in): 780pF. Uitgangscapaciteit C(out): 200pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 1400 ns. Maximale Dissipatievermogen: 35W. Drain-Source Bescherming: Diode. Gate-Source Spanning Vgs: 30V. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) max.: 4V. Temperatuur: +150°C.