STMicroelectronics STP4NB80 N-Kanaal PowerMESH MOSFET, 800V, 4A

Technische beschrijving van het product (STP4NB80):

Drain-Source Spanning Vds(max): 800V. Drain-Source Lekstroom Idss (max): 50uA. Drainstroom Id (T=25°C): 4A. Drainstroom Id (T=100°C): 2A. On-weerstand Rds On: 3 Ohms. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Hoge stroom, hoge snelheid schakelen. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gate-Source-beveiliging: nee. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 12 ns. Drain-Source Lekstroom Idss (min): 1uA. Inschakelvertragingstijd Td(on): 14 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 16A. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 3V. Ingangscapaciteit C (in): 700pF. Uitgangscapaciteit C (out): 95pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 600 ns. Max. Vermogensdissipatie: 100W. Drain-Source-beveiliging: ja. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) max.: 5V