STMicroelectronics STP200N4F3 N-Kanaal STripFET™ Vermogens-MOSFET, 40V, 60.4k Ohms, TO-220

Technische beschrijving van het product (STP200N4F3):

Drain-Source Spanning Vds(max): 40V. Drain-Source Lekstroom Idss (max): 100uA. Drainstroom Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Drainstroom Id (T=100°C): 60.4k Ohms. On-weerstand Rds On: 3M Ohms. Behuizing (volgens datasheet): TO-220. Behuizing: TO-220. RoHS: ja. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Aantal aansluitingen: 3. Montage/Installatie: Doorsteekmontage voor printplaat. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Schakelen, automobieltoepassingen. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Gate-Source-beveiliging: nee. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 90 ns. Drain-Source Lekstroom Idss (min): 10uA. Inschakelvertragingstijd Td(on): 19 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 480A. Markering op behuizing: 200N4F3. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 2V. Ingangscapaciteit C (in): 5100pF. Uitgangscapaciteit C (out): 1270pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 67 ns. Max. Vermogensdissipatie: 300W. Drain-Source-beveiliging: Zenerdiode. Gate-Source-spanning Vgs: 20V. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) max.: 4V