STMicroelectronics STP14NF12 N-Kanaal STripFET II Vermogens-MOSFET, 120V, 14A, TO-220

Technische beschrijving van het product (STP14NF12):

Drain-Source Spanning Vds(max): 120V. Drain-Source Lekstroom Idss (max): 10uA. Drainstroom Id (T=25°C): 14A. Drainstroom Id (T=100°C): 9A. On-weerstand Rds On: 0.16 Ohms. Behuizing (volgens datasheet): TO-220. Behuizing: TO-220. Montage/Installatie: Doorsteekmontage voor printplaat. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Lage ingangslading. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gate-Source-beveiliging: nee. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 32 ns. Drain-Source Lekstroom Idss (min): 1uA. Inschakelvertragingstijd Td(on): 16 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 56A. Markering op behuizing: P14NF12. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 2V. Ingangscapaciteit C (in): 460pF. Uitgangscapaciteit C (out): 70pF. Max. Vermogensdissipatie: 60W. Drain-Source-beveiliging: ja. Gate-Source-spanning Vgs: 20V. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) max.: 4V