STMicroelectronics STP11NM80 N-Kanaal MDmesh MOSFET, 800V, 11A, TO-220

Technische beschrijving van het product (STP11NM80):

Drain-Source Spanning Vds(max): 800V. Drain-Source Lekstroom Idss (max): 100uA. Drainstroom Id (T=25°C): 11A. Drainstroom Id (T=100°C): 4.7A. On-weerstand Rds On: 0.35 Ohms. Behuizing (volgens datasheet): TO-220. Behuizing: TO-220. RoHS: ja. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Aantal aansluitingen: 3. Montage/Installatie: Doorsteekmontage voor printplaat. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Lage ingangscapaciteit, weerstand en gate-lading. Technologie: MDmesh MOSFET. Gate-Source-beveiliging: nee. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 46 ns. Drain-Source Lekstroom Idss (min): 10uA. Inschakelvertragingstijd Td(on): 22 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 44A. Markering op behuizing: P11NM80. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 3V. Ingangscapaciteit C (in): 1630pF. Uitgangscapaciteit C (out): 750pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 612 ns. Max. Vermogensdissipatie: 150W. Verpakking: Plastic buis. Drain-Source-beveiliging: Zenerdiode. Gate-Source-spanning Vgs: 30V. Verpakkingseenheid: 50