STMicroelectronics STB12NM50N N-Kanaal MDmesh Vermogens-MOSFET, 550V, 11A, D2PAK (TO-263)

Technische beschrijving van het product (STB12NM50N):

Drain-Source Spanning Vds(max): 550V. Drain-Source Lekstroom Idss (max): 100uA. Drainstroom Id (T=25°C): 11A. Drainstroom Id (T=100°C): 6.8A. On-weerstand Rds On: 0.29 Ohms. Behuizing (volgens datasheet): D2PAK (TO-263). Behuizing: D2PAK (TO-263). RoHS: ja. Aantal aansluitingen: 2. Montage/Installatie: Oppervlaktemontagecomponent (SMD). Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Hoge dv/dt, lage gate-capaciteit. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gate-Source-beveiliging: nee. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 60 ns. Drain-Source Lekstroom Idss (min): 1uA. Inschakelvertragingstijd Td(on): 15 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 44A. Markering op behuizing: B12NM50N. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 2V. Ingangscapaciteit C (in): 940pF. Uitgangscapaciteit C (out): 100pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 340 ns. Max. Vermogensdissipatie: 100W. Drain-Source-beveiliging: ja. Gate-Source-spanning Vgs: 25V. Temperatuur: +150°C