Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 60A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Let op: SAMSUNG 0402-000250. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 3V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 80A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V

Voorwaartse stroom (AV): 0.5A. IFSM: 20A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Cj: 5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende gelijkrichterdiode. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.8V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende gelijkrichterdiode. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Let op: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende gelijkrichterdiode. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende gelijkrichterdiode. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Let op: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AC. VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Snel schakelen. Let op: 50App/8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AC. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Snel schakelen. Let op: 50App/8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AC. VRRM: 1000V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Snel schakelen. Let op: 50App/8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 2A. VRRM: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ifsm--80A/8.2ms. Hoogte: 9.5x5.3mm. Let op: GI, S

Voorwaartse stroom (AV): 2A. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ifsm--80A/8.2ms. Hoogte: 9.5x5.3mm. Let op: GI, S

Voorwaartse stroom (AV): 3A. VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 125A/PP. Let op: GI, S

Voorwaartse stroom (AV): 3A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD. VRRM: 1000V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 125App/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Let op: GI, S

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 60A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: demper . Let op: Samsung--32169-301-670. Let op: Samsung--CK6813Z/SEH. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: demper . Let op: Samsung--0402-000266. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 200A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 65 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hyperfast Diode. Let op: Hypersnelle diode. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 3.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.6V. Spec info: Ifsm--200Ap

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 30A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 60pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hyperfast with Soft Recovery. Let op: Hypersnelle diode. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz)

Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 300A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 1200V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 65 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hyperfast with Soft Recovery. Markering op de kast: RHR30120. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 3.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.6V

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 1200V. Cj: 25pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 55 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Hypersnelle diode. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 3.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.6V. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz)

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 16A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: ja. Cj: 25pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hypersnelle diode. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 2.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz)

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 70A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon Rectifier. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm--70Ap t=8.3mS

Voorwaartse stroom (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Hoogte: 8x6.5mm. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.95V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.95V. Let op: Ultrasnelle herstelgelijkrichterdiode

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: snelle gelijkrichtdiode, Opbouwmontage. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: snelle gelijkrichtdiode, Opbouwmontage. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: snelle gelijkrichtdiode, Opbouwmontage. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V