Standaard- en gelijkrichterdiodes

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2A. Let op: Ifsm--80A/8.2ms. Hoogte: 9.5x5.3mm. VRRM: 200V. Let op: GI, S

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Let op: 125A/PP. VRRM: 400V. Let op: GI, S

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Let op: 125App/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD. VRRM: 1000V. Let op: GI, S

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: demper . Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 60A. Let op: Samsung--32169-301-670. Let op: Samsung--CK6813Z/SEH. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 1500V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: demper . Voorwaartse stroom (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Let op: Samsung--0402-000266. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V

Cj: 55pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 65 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hyperfast Diode. Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 200A. Let op: Hypersnelle diode. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-2. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 3.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm--200Ap

Cj: 60pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hyperfast with Soft Recovery. Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 30A. Let op: Hypersnelle diode. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz)

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 65 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hyperfast with Soft Recovery. Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 300A. Markering op de kast: RHR30120. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 3.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V

Cj: 25pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 55 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 100A. Let op: Hypersnelle diode. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 3.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz)

RoHS: ja. Cj: 25pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hypersnelle diode. Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 16A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Drempelspanning Vf (max): 2.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz)

Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Hoogte: 8x6.5mm. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.95V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Let op: Ultrasnelle herstelgelijkrichterdiode

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: snelle gelijkrichtdiode, Opbouwmontage. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 50V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: snelle gelijkrichtdiode, Opbouwmontage. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 100V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: snelle gelijkrichtdiode, Opbouwmontage. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: snelle gelijkrichtdiode, Opbouwmontage. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: snelle gelijkrichtdiode, Opbouwmontage. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: snelle gelijkrichtdiode, Opbouwmontage. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: snelle gelijkrichtdiode, Opbouwmontage. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 125 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 80A. IFSM: 500A. MRI (max.): 2mA. MRI (min): 250uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247-2. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Functie: Ultrasnelle diode

RoHS: ja. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 60 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Recovery Diode. Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 325A. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: pinout--1

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Voorwaartse stroom (AV): 16A. IFSM: 150A. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -65...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 0.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.48V. VRRM: 40V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: Ifsm 150A/10ms. Conditioneringseenheid: 50. Let op: dubbele siliciumdiode

Cj: 12pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 1.8us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: gelijkrichtdiodes voor algemeen gebruik. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Let op: zeefdruk/SMD-code 1M. Let op: behuizing 4,6x2,7mm. Markering op de kast: 1 M. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. VRRM: 200V

RoHS: ja. Componentfamilie: Opbouw gelijkrichterdiode (SMD). Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SMB. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-214AA. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 2. Doorlaatstroom [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 1 kV. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 5uA..100uA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Doorlaatspanning Vfmax (V): 1.15V @ 2A

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Let op: 4.2x4.3mm. Let op: 50App/10ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V