Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 40A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: ja. Diode Tff(25°C): 25 ns. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Power Rectifiers. Let op: zeefdruk/CMS-code U1D. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 2uA. Markering op de kast: U1D. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 0.875V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.71V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 35A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diode Tff(25°C): 50 ns. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Power Rectifiers. Let op: zeefdruk/CMS-code U1J. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. Markering op de kast: U1J. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.05V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 75A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Trr-diode (min.): 25 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Power Rectifiers. Let op: zeefdruk/CMS-code U3D. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 0.875V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.71V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 75A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ultrafast Power Rectifiers. Let op: zeefdruk/CMS-code U3J. MRI (max.): 250uA. MRI (min): 10uA. Equivalenten: MURS360T3G, MUR360S R6. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.05V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ultrafast Power Rectifiers. Let op: zeefdruk/CMS-code U3J. MRI (max.): 250uA. MRI (min): 10uA. Equivalenten: MURS360T3G, MUR360S, R6. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.88V

Behuizing: R-6. Behuizing (volgens datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 400A. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V. Cj: 70pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (min): 10uA. Markering op de kast: P1000M. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja

VRRM: 1000V. Gemiddelde gelijkgerichte stroom per diode: 20A. Soort diode: gelijkrichterdiode. Diodeconfiguratie: onafhankelijk. Montagetype: THT. Omgekeerde hersteltijd (max.): 1500ns

VRRM: 1600V. Gemiddelde gelijkgerichte stroom per diode: 25A. Soort diode: gelijkrichterdiode. Diodeconfiguratie: onafhankelijk. Montagetype: THT. Omgekeerde hersteltijd (max.): 1500ns

Behuizing: P600. VRRM: 200V. Gemiddelde gelijkgerichte stroom per diode: 6A. Soort diode: gelijkrichterdiode. Diodeconfiguratie: onafhankelijk. Voorwaartse spanning (max.): <1.0V / 5A. Montagetype: THT. Omgekeerde lekstroom: 25uA / 200V. Omgekeerde hersteltijd (max.): 1500ns. Serie: P600

Voorwaartse stroom (AV): 6A. IFSM: 400A. Behuizing: R-6. Behuizing (volgens datablad): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 2500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 10uA. Markering op de kast: 6A08. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V

Voorwaartse stroom (AV): 6A. IFSM: 400A. Behuizing: R-6. Behuizing (volgens datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (min): 10uA. Markering op de kast: 6A12. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 10A. Behuizing: SOD-323. Behuizing (volgens datablad): SOD-323F. VRRM: 60V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Schottky gelijkrichterdiode (Mega-serie). Markering op de kast: EQ. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.66V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.21V

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: FAST RECOVERY RECTIFIER. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.2V

IFSM: 30A. Behuizing (volgens datablad): A-405 (5.2x2.7mm). VRRM: 1000V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Let op: DAEWOO TV

Let op: SONY TV

Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. VRRM: 350V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen, snelle hersteldiode. MRI (max.): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: IFMS 100Ap. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. VRRM: 530V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 23 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: Silicon epitaxial planer. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.65V

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Let op: SAMSUNG. MRI (max.): 2.5mA. MRI (min): 0.5mA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFMS 50Ap. Gewicht: 0.6g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 100us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Let op: SAMSUNG 0402-000250. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2V

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 60A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Let op: SAMSUNG 0402-000250. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 3V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 80A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V

Voorwaartse stroom (AV): 0.5A. IFSM: 20A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Cj: 5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende gelijkrichterdiode. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.8V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende gelijkrichterdiode. Let op: GI, S. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende gelijkrichterdiode. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V