Sanken 2SK3199 N-Kanaal MOSFET, 500V, 5A, 1.2 Ohm, TO220F-3L Behuizing

Technische beschrijving van het product (2SK3199):

Drain-Source Spanning Vds(max): 500V. Drain-Source Lekstroom Idss(max): 100uA. Continue Drainstroom Id (T=25°C): 5A. On-State Weerstand Rds(On): 1.2 Ohm. Behuizing (volgens datasheet): TO220F-3L. Behuizing: TO-220FP. RoHS-conform: Ja. Montagetype: Doorsteekmontage. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: N-Kanaal MOSFET. Technologie: V-MOS (F). Equivalenties: FS5KM-10-AW. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 60 ns. Drain-Source Lekstroom Idss(min): 0.1uA. Inschakelvertragingstijd Td(on): 18 ns. Aantal per behuizing: 1. Gepulseerde Drainstroom Id(imp): 20A. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) min.: 2V. Ingangscapaciteit C(in): 650pF. Uitgangscapaciteit C(out): 250pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 2us. Maximale Dissipatievermogen: 30W. Gate-Source Spanning Vgs: 30V. Gate-Source Drempelspanning Vgs(th) max.: 4V.