P-kanaaltransistor SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V

P-kanaaltransistor SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.88€
5-49
1.55€
50-99
1.31€
100+
1.19€
Hoeveelheid in voorraad: 82

P-kanaaltransistor SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 10uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 40V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 5.9A. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaaltype: P. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 16 ns. Td(uit): 97 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diode (min.): 35ms. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 07:30

Technische documentatie (PDF)
SI4401BDY
27 parameters
ID (T=25°C)
8.7A
Idss (max)
10uA
Behuizing
SO
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Spanning Vds(max)
40V
Aan-weerstand Rds Aan
0.011 Ohms
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
5.9A
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaaltype
P
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1.5W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
16 ns
Td(uit)
97 ns
Technologie
TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET
Trr-diode (min.)
35ms
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Vishay