P-kanaaltransistor IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V

P-kanaaltransistor IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.80€
5-24
2.46€
25-49
2.22€
50-99
2.06€
100+
1.82€
+1 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 105

P-kanaaltransistor IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V. Behuizing: TO-220. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.06 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 120nC. Aftapstroom: -40A. Afvoerbronspanning: -100V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Binnendiameter (T=100°C): 29A. C(inch): 2700pF. Conditionering: tubus. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 140A. Kanaaltype: P. Kosten): 790pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Td(aan): 17 ns. Td(uit): 79 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 200W. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/11/2025, 23:00

Technische documentatie (PDF)
IRF5210
37 parameters
Behuizing
TO-220
ID (T=25°C)
40A
Idss (max)
250uA
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
100V
Aan-weerstand Rds Aan
0.06 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Aanval
120nC
Aftapstroom
-40A
Afvoerbronspanning
-100V
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
Binnendiameter (T=100°C)
29A
C(inch)
2700pF
Conditionering
tubus
Conditioneringseenheid
50
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
140A
Kanaaltype
P
Kosten)
790pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
200W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
±20V
Td(aan)
17 ns
Td(uit)
79 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
170 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
200W
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier