NPN-transistor MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA

NPN-transistor MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-99
0.17€
100-999
0.10€
1000-2999
0.0639€
3000+
0.0589€
Hoeveelheid in voorraad: 3642

NPN-transistor MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Aantal aansluitingen: 3. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Markering van de fabrikant: 2L. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Maximale temperatuur: +150°C.. RoHS: ja. Origineel product van fabrikant: Onsemi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/11/2025, 18:29

Technische documentatie (PDF)
MMBT5401LT1G
13 parameters
Behuizing
SOT-23
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-236
Collector-emitterspanning Uceo [V]
150V
Collectorstroom Ic [A], max.
500mA
Aantal aansluitingen
3
Afsnijfrequentie ft [MHz]
100 MHz
Componentfamilie
PNP-transistor
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Markering van de fabrikant
2L
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.225W
Maximale temperatuur
+150°C.
RoHS
ja
Origineel product van fabrikant
Onsemi