NPN-transistor MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA
Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-99
1.17€
100+
0.73€
| +65 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 1075 |
NPN-transistor MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA. Collector-emitterspanning VCEO: -300V. Behuizing: TO-126. Collectorstroom: -0.5A. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Aantal aansluitingen: 3. Afsnijfrequentie ft [MHz]: -. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Markering van de fabrikant: MJE350G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Maximale frequentie: 10MHz. Maximale temperatuur: +150°C.. Polariteit: PNP. RoHS: ja. Type transistor: vermogenstransistor. Vermogen: 20W. Origineel product van fabrikant: Onsemi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/11/2025, 23:50
MJE350G
18 parameters
Collector-emitterspanning VCEO
-300V
Behuizing
TO-126
Collectorstroom
-0.5A
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-225
Collector-emitterspanning Uceo [V]
300V
Collectorstroom Ic [A], max.
500mA
Aantal aansluitingen
3
Componentfamilie
hoogspanning PNP-transistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Markering van de fabrikant
MJE350G
Maximale dissipatie Ptot [W]
20W
Maximale frequentie
10MHz
Maximale temperatuur
+150°C.
Polariteit
PNP
RoHS
ja
Type transistor
vermogenstransistor
Vermogen
20W
Origineel product van fabrikant
Onsemi