NPN-transistor MJE3055T, TO-220, 10A, 10A, TO-220AB, 60V. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. CE-diode: nee. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A]: 10A. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Conditionering: tubus. Conditioneringseenheid: 50. Configuratie: PCB-doorvoermontage. FT: 2 MHz. Functie: NF-L. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 200pF. Markering van de fabrikant: MJE3055T. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Maximale hFE-versterking: 70. Maximale temperatuur: +150°C.. Minimale hFE-versterking: 20. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Spanning (verzamelaar - emitter): 70V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE2955T. Technologie: Epitaxial-Base. Type transistor: NPN. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Vermogen: 90W. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27