NPN-transistor MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

NPN-transistor MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.93€
5-24
0.78€
25-49
0.68€
50-99
0.62€
100+
0.53€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 46

NPN-transistor MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: nee. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. FT: 2 MHz. Functie: NF-L. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE2955T. Technologie: Epitaxial-Base. Type transistor: NPN. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27

MJE3055T-FAI
26 parameters
Collectorstroom
10A
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Collector-emitterspanning Vceo
60V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
CE-diode
nee
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
50
FT
2 MHz
Functie
NF-L
Halfgeleidermateriaal
silicium
Maximale hFE-versterking
70
Minimale hFE-versterking
20
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
75W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) MJE2955T
Technologie
Epitaxial-Base
Type transistor
NPN
Vcbo
70V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1.1V
Origineel product van fabrikant
Fairchild

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor MJE3055T-FAI