NPN-transistor KSD2012GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. CE-diode: nee. FT: 3 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): -. Kosten): 35pF. Markering op de kast: D2012-G. Maximale hFE-versterking: 320. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Minimale hFE-versterking: 150. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) KSB1366. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27