NPN-transistor 2SD2012, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10R1A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. FT: 3 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): -. Kosten): 35pF. Markering op de kast: D2012. Maximale hFE-versterking: 300. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Minimale hFE-versterking: 100. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1366. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:46