NPN-transistor KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V

NPN-transistor KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.80€
5-9
1.57€
10-24
1.41€
25-99
1.28€
100+
1.09€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 73

NPN-transistor KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. CE-diode: nee. FT: 9 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): -. Kosten): 35pF. Markering op de kast: B1366-G. Maximale hFE-versterking: 320. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Minimale hFE-versterking: 150. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) KSD2012. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:52

Technische documentatie (PDF)
KSB1366GTU
25 parameters
Collectorstroom
3A
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Collector-emitterspanning Vceo
60V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55°C tot +150°C
CE-diode
nee
FT
9 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Kosten)
35pF
Markering op de kast
B1366-G
Maximale hFE-versterking
320
Maximale verzadigingsspanning VCE(sat)
1V
Minimale hFE-versterking
150
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
25W
Spec info
complementaire transistor (paar) KSD2012
Technologie
Silicon PNP Triple Diffused Type
Type transistor
PNP
Vcbo
60V
Vebo
7V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.4V
Origineel product van fabrikant
Fairchild

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor KSB1366GTU