NPN-transistor 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. FT: 100 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: zeefdruk/SMD-code DG. Markering op de kast: DG. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 200. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 150mW. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1163. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 300mV. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:19