NPN-transistor 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V

NPN-transistor 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.03€
5-9
1.86€
10-24
1.77€
25-49
1.66€
50+
1.53€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 22

NPN-transistor 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. FT: 120 MHz. Functie: PCT-proces. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 80. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2235-Y. Technologie: Epitaxiaal type. Temperatuur: +150°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:35

Technische documentatie (PDF)
2SA965
23 parameters
Collectorstroom
0.8A
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92M ( 9mm )
Collector-emitterspanning Vceo
120V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
CE-diode
nee
FT
120 MHz
Functie
PCT-proces
Halfgeleidermateriaal
silicium
Maximale hFE-versterking
240
Minimale hFE-versterking
80
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.9W
Spec info
complementaire transistor (paar) 2SC2235-Y
Technologie
Epitaxiaal type
Temperatuur
+150°C
Type transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1V
Origineel product van fabrikant
Toshiba

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SA965