| Hoeveelheid in voorraad: 4329 | 
      NPN-transistor 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V
Hoeveelheid
		Eenheidsprijs
	  1-4
		  2.03€
		5-9
		  1.86€
		10-24
		  1.77€
		25-49
		  1.66€
		50+
		  1.53€
		| Equivalentie beschikbaar | |
| Hoeveelheid in voorraad: 22 | 
NPN-transistor 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. FT: 120 MHz. Functie: PCT-proces. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 80. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2235-Y. Technologie: Epitaxiaal type. Temperatuur: +150°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:35
2SA965
		23 parameters
	  Collectorstroom
		  0.8A
		Behuizing
		  TO-92
		Behuizing (volgens datablad)
		  TO-92M ( 9mm )
		Collector-emitterspanning Vceo
		  120V
		Aantal aansluitingen
		  3
		Aantal per doos
		  1
		BE-diode
		  nee
		CE-diode
		  nee
		FT
		  120 MHz
		Functie
		  PCT-proces
		Halfgeleidermateriaal
		  silicium
		Maximale hFE-versterking
		  240
		Minimale hFE-versterking
		  80
		Montage/installatie
		  PCB-doorvoermontage
		Pd (vermogensdissipatie, max.)
		  0.9W
		Spec info
		  complementaire transistor (paar) 2SC2235-Y
		Technologie
		  Epitaxiaal type
		Temperatuur
		  +150°C
		Type transistor
		  PNP
		Vcbo
		  120V
		Vebo
		  5V
		Verzadigingsspanning VCE(sat)
		  1V
		Origineel product van fabrikant
		  Toshiba