NPN-transistor 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

NPN-transistor 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.15€
5-24
1.92€
25-49
1.77€
50-99
1.63€
100+
1.37€
Hoeveelheid in voorraad: 17

NPN-transistor 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. C(inch): 1.7pF. CE-diode: nee. FT: 150 MHz. Functie: video. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 200mA. Kosten): 2.6pF. Maximale hFE-versterking: 320. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Minimale hFE-versterking: 40. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor. Temperatuur: +150°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 200V. Vebo: 5V. Origineel product van fabrikant: Sanyo. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:35

Technische documentatie (PDF)
2SA1370
25 parameters
Collectorstroom
100mA
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92M ( 9mm )
Collector-emitterspanning Vceo
200V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
C(inch)
1.7pF
CE-diode
nee
FT
150 MHz
Functie
video
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
200mA
Kosten)
2.6pF
Maximale hFE-versterking
320
Maximale verzadigingsspanning VCE(sat)
0.6V
Minimale hFE-versterking
40
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1W
Technologie
Epitaxiale Planaire Transistor
Temperatuur
+150°C
Type transistor
PNP
Vcbo
200V
Vebo
5V
Origineel product van fabrikant
Sanyo