NPN-transistor 2SA1213Y, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): 2-5K1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. FT: 120 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 40pF. Markering op de kast: NY. Maximale hFE-versterking: 240. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Minimale hFE-versterking: 120. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Spec info: zeefdruk / SMD-code NY. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:35