NPN-transistor 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V

NPN-transistor 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.81€
5-24
0.68€
25-49
0.60€
50-99
0.54€
100+
0.46€
+1022 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 26

NPN-transistor 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Collectorstroom: 1A. Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. BE-diode: nee. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-39. C(inch): 60pF. CE-diode: nee. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A]: 1A. Componentfamilie: NPN-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. FT: 100 MHz. Frequentie: 100MHz. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 12pF. Markering van de fabrikant: 2N3019. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Maximale hFE-versterking: 100. Maximale temperatuur: +175°C.. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Minimale hFE-versterking: 50. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Spanning (verzamelaar - emitter): 140V. Type transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V. Vermogen: 800mW. Origineel product van fabrikant: Cdil. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:27

Technische documentatie (PDF)
2N3019
37 parameters
Behuizing
TO-39 ( TO-205 )
Collectorstroom Ic [A], max.
1A
Collectorstroom
1A
Behuizing (volgens datablad)
TO-39
Collector-emitterspanning Vceo
80V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Afsnijfrequentie ft [MHz]
100 MHz
BE-diode
nee
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-39
C(inch)
60pF
CE-diode
nee
Collector-emitterspanning Uceo [V]
80V
Collectorstroom Ic [A]
1A
Componentfamilie
NPN-transistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
FT
100 MHz
Frequentie
100MHz
Functie
Hoge snelheidsschakelen
Halfgeleidermateriaal
silicium
Kosten)
12pF
Markering van de fabrikant
2N3019
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.8W
Maximale hFE-versterking
100
Maximale temperatuur
+175°C.
Maximale verzadigingsspanning VCE(sat)
0.2V
Minimale hFE-versterking
50
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.8W
Polariteit
bipolair
RoHS
ja
Spanning (verzamelaar - emitter)
140V
Type transistor
NPN
Vcbo
140V
Vebo
7V
Vermogen
800mW
Origineel product van fabrikant
Cdil

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2N3019