NPN-transistor 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. FT: 100 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Technologie: Planaire epitaxiale transistor. Temperatuur: +175°C. Type transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:27