N-kanaaltransistor STW12NK80Z, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 2620pF. Functie: Verbeterde ESD-mogelijkheden. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 42A. Kanaaltype: N. Kosten): 250pF. Markering op de kast: W12NK80Z. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: EXTREEM HOGE dv/dt-CAPABILITEIT. Td(aan): 30 ns. Td(uit): 70 ns. Technologie: SuperMESH™ power MOSFET-transistor beschermd door zenerdiode. Trr-diode (min.): 635 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:58