N-kanaaltransistor STW11NK100Z, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V

N-kanaaltransistor STW11NK100Z, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
5.03€
5-14
4.59€
15-29
4.25€
30-59
3.95€
60+
3.55€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 26

N-kanaaltransistor STW11NK100Z, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Binnendiameter (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 1000V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 3500pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: extreem hoge dv/dt-mogelijkheden, schakeltoepassingen. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 33.2A. Kanaaltype: N. Kosten): 270pF. Markering op de kast: W11NK100Z. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Td(aan): 27 ns. Td(uit): 98 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Trr-diode (min.): 560 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:58

Technische documentatie (PDF)
STW11NK100Z
34 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
5.2A
ID (T=25°C)
8.3A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
1.1 Ohms
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247
Spanning Vds(max)
1000V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
3500pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
30
Functie
extreem hoge dv/dt-mogelijkheden, schakeltoepassingen
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
1uA
Id(imp)
33.2A
Kanaaltype
N
Kosten)
270pF
Markering op de kast
W11NK100Z
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
230W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V
Td(aan)
27 ns
Td(uit)
98 ns
Technologie
Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
Trr-diode (min.)
560 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor STW11NK100Z