N-kanaaltransistor IRFPG50, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 1000V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 2800pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 24A. Kanaaltype: N. Kosten): 250pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. RoHS: ja. Td(aan): 19 ns. Td(uit): 130 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 630 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:37