N-kanaaltransistor STP9NB60, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Aantal per doos: 1. Functie: N MOSFET-transistor. Kanaaltype: N. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Technologie: PowerMesh. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:58