N-kanaaltransistor STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

N-kanaaltransistor STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.86€
5-49
1.54€
50-99
1.37€
100+
1.21€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 77

N-kanaaltransistor STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 700pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 16A. Kanaaltype: N. Kosten): 95pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 12 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:29

Technische documentatie (PDF)
STP4NB80FP
28 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
2.4A
ID (T=25°C)
4A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
3 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220FP
Spanning Vds(max)
800V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
700pF
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
16A
Kanaaltype
N
Kosten)
95pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
35W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
12 ns
Technologie
PowerMESH MOSFET
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
600 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor STP4NB80FP