N-kanaaltransistor STP3NB80, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4.6 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 440pF. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 10.4A. Kanaaltype: N. Kosten): 60pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Td(aan): 15 ns. Td(uit): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:29