N-kanaaltransistor STP3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

N-kanaaltransistor STP3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.96€
5-24
0.77€
25-49
0.67€
50-99
0.58€
100+
0.52€
Hoeveelheid in voorraad: 81

N-kanaaltransistor STP3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 50uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.8 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 485pF. Functie: zeer hoge dv/dt-verhouding, voor schakeltoepassingen. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 1uA. Id(imp): 10A. Kanaaltype: N. Kosten): 57pF. Markering op de kast: P3NK80Z. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 17 ns. Td(uit): 36ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:29

STP3NK80Z
28 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
1.57A
ID (T=25°C)
2.5A
Idss (max)
50uA
Aan-weerstand Rds Aan
3.8 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Spanning Vds(max)
800V
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
485pF
Functie
zeer hoge dv/dt-verhouding, voor schakeltoepassingen
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
1uA
Id(imp)
10A
Kanaaltype
N
Kosten)
57pF
Markering op de kast
P3NK80Z
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
70W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
Td(aan)
17 ns
Td(uit)
36ns
Technologie
SuperMESH™ Power MOSFET
Trr-diode (min.)
384 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics