N-kanaaltransistor STP11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.37 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 850pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 40A. Kanaaltype: N. Kosten): 44pF. Markering op de kast: 11NM60ND. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(aan): 16 ns. Td(uit): 50 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:29