N-kanaaltransistor STP13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

N-kanaaltransistor STP13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.29€
5-24
1.95€
25-49
1.73€
50-99
1.57€
100+
1.35€
Hoeveelheid in voorraad: 31

N-kanaaltransistor STP13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.28 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 790pF. Functie: Lage invoercapaciteit en poortlading. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaaltype: N. Kosten): 60pF. Markering op de kast: 13NM60N. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 44A. Td(aan): 3 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:29

Technische documentatie (PDF)
STP13NM60N
32 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
6.93A
ID (T=25°C)
11A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.28 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
790pF
Functie
Lage invoercapaciteit en poortlading
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
44A
Kanaaltype
N
Kosten)
60pF
Markering op de kast
13NM60N
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
90W
Poort-/bronspanning Vgs
25V
RoHS
ja
Spec info
ID pulse 44A
Td(aan)
3 ns
Td(uit)
30 ns
Technologie
MDmesh™ II Power MOSFET
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
290 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics