N-kanaaltransistor STD10NM60N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V

N-kanaaltransistor STD10NM60N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.09€
5-24
1.76€
25-49
1.54€
50-99
1.43€
100+
1.27€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 42

N-kanaaltransistor STD10NM60N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.53 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 650V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 540pF. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 32A. Kanaaltype: N. Kosten): 44pF. Markering op de kast: 10NM60N. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. RoHS: ja. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 32 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Trr-diode (min.): 315 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:54

Technische documentatie (PDF)
STD10NM60N
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
5A
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.53 Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spanning Vds(max)
650V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
540pF
Functie
Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
32A
Kanaaltype
N
Kosten)
44pF
Markering op de kast
10NM60N
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
70W
Poort-/bronspanning Vgs
25V
RoHS
ja
Td(aan)
10 ns
Td(uit)
32 ns
Technologie
Cool Mos POWER transistor
Trr-diode (min.)
315 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor STD10NM60N