N-kanaaltransistor SPW11N80C3, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1600pF. Functie: Extreem dv/dt-geclassificeerd, ultra lage poortlading. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.5uA. Id(imp): 33A. Kanaaltype: N. Kosten): 800pF. Markering op de kast: 11N80C3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 25 ns. Td(uit): 72 ns. Technologie: Cool Mos. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:33