N-kanaaltransistor SPP11N80C3, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 11A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 800V. Aantal per doos: 1. Functie: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Kanaaltype: N. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 156W. Technologie: Cool Mos. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:33