N-kanaaltransistor SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V

N-kanaaltransistor SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.91€
5-24
2.59€
25-49
2.33€
50-99
2.16€
100+
1.92€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 87

N-kanaaltransistor SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 560V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 750pF. Functie: Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.5uA. Id(imp): 22.8A. Kanaaltype: N. Kosten): 350pF. Markering op de kast: 08N50C3. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 6 ns. Td(uit): 60 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:33

Technische documentatie (PDF)
SPD08N50C3
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
4.6A
ID (T=25°C)
7.6A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.50 Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spanning Vds(max)
560V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
750pF
Functie
Extreem dv/dt gewaardeerd Ultra lage effectieve capaciteit
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
0.5uA
Id(imp)
22.8A
Kanaaltype
N
Kosten)
350pF
Markering op de kast
08N50C3
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
83W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
6 ns
Td(uit)
60 ns
Technologie
Cool Mos POWER transistor
Trr-diode (min.)
370 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.9V
Vgs(th) min.
2.1V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor SPD08N50C3