N-kanaaltransistor SPB80N04S2-H4, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.4M Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 40V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 4480pF. Functie: Verbeteringsmodus. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.01uA. Id(imp): 320A. Kanaaltype: N. Kosten): 1580pF. Markering op de kast: 2N04H4. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 46 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Trr-diode (min.): 195 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:33