N-kanaaltransistor STB120N4F6, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5m Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 40V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 3850pF. Functie: Schakelapplicaties, Automotive. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 320A. Kanaaltype: N. Kosten): 650pF. Markering op de kast: 120N4F6. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 20 ns. Td(uit): 40 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:54