N-kanaaltransistor SPB32N03L, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 32A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. Kanaaltype: N. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Siemens. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:33