N-kanaaltransistor NDB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 156A. Kanaaltype: N. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: National Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27