N-kanaaltransistor RFD3055LESM, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (max): 12A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spanning Vds(max): 60V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 850pF. Functie: logische niveauregeling, ESD-bescherming. G-S-bescherming: diode. Kanaaltype: N. Kosten): 170pF. Markering op de kast: F3055L. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. RoHS: ja. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 25 ns. Technologie: Enhancement-Mode Vermogens-MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Harris. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:29