N-kanaaltransistor IRFR024N, D-PAK ( TO-252 ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

N-kanaaltransistor IRFR024N, D-PAK ( TO-252 ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.97€
5-24
0.83€
25-49
0.73€
50-99
0.67€
100+
0.59€
+2 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 157

N-kanaaltransistor IRFR024N, D-PAK ( TO-252 ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 55V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Aanval: 13.3nC. Aftapstroom: 16A. Afvoerbronspanning: 55V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 370pF. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 3.3K/W. ID s (min): 25uA. Id(imp): 68A. Kanaaltype: N. Kosten): 140pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Td(aan): 4.9 ns. Td(uit): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 38W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:37

Technische documentatie (PDF)
IRFR024N
36 parameters
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Binnendiameter (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
17A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.075 Ohms
Behuizing (volgens datablad)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Spanning Vds(max)
55V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Aanval
13.3nC
Aftapstroom
16A
Afvoerbronspanning
55V
Bedrijfstemperatuur
-55...+175°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
370pF
G-S-bescherming
nee
Huisvesting thermische weerstand
3.3K/W
ID s (min)
25uA
Id(imp)
68A
Kanaaltype
N
Kosten)
140pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
45W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Spanning
20V, ±20V
Td(aan)
4.9 ns
Td(uit)
19 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Trr-diode (min.)
56 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
38W
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
International Rectifier

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor IRFR024N