Categorieën

Niet op voorraad
Image produit
Magnachip Semiconductor

N-kanaaltransistor MBQ60T65PES, 650V, 60A, TO-247, TO-247

Productreferentie : MBQ60T65PES
Actuellement en rupture de stock
Volumekorting — Bespaar bij aankoop van meerdere artikelen
HoeveelheidEenheidsprijsRedden
1 – 598.67 €
60+Beste prijs8.22 €-5%
Download het technische specificatieblad (PDF)

Technische beschrijving van het product (MBQ60T65PES):

Collector-emitterspanning Vceo: 650V. Ic(T=100°C): 60A. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Behuizing: TO-247. Germaniumdiode: nee. RoHS: ja. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: ja. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Kanaaltype: N. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Td(uit): 142ns. Td(aan): 45 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Ic(puls): 180A. Markering op de kast: 60T65PES. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 535W. Conditionering: plastic buis. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Collectorstroom: 100A. Conditioneringseenheid: 30