N-kanaaltransistor IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

N-kanaaltransistor IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.12€
5-24
0.93€
25-49
0.78€
50+
0.70€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 396

N-kanaaltransistor IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 500pF. Functie: Advanced Power MOSFET. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 10uA. Id(imp): 36A. Kanaaltype: N. Kosten): 95pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 13 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Trr-diode (min.): 137 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:37

Technische documentatie (PDF)
IRFS630A
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
4.1A
ID (T=25°C)
6.5A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.4 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220F
Spanning Vds(max)
200V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
500pF
Functie
Advanced Power MOSFET
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
10uA
Id(imp)
36A
Kanaaltype
N
Kosten)
95pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
38W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
Td(aan)
13 ns
Td(uit)
30 ns
Technologie
Advanced Power MOSFET
Trr-diode (min.)
137 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Fairchild

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor IRFS630A