N-kanaaltransistor IRFI630G, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

N-kanaaltransistor IRFI630G, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.68€
5-24
1.39€
25-49
1.21€
50+
1.10€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 43

N-kanaaltransistor IRFI630G, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 800pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 36A. Kanaaltype: N. Kosten): 240pF. Markering op de kast: IRFI630G. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 9.4 ns. Td(uit): 39 ns. Technologie: Power MOSFET. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:37

Technische documentatie (PDF)
IRFI630G
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
4.1A
ID (T=25°C)
6.5A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.4 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220F
Spanning Vds(max)
200V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
800pF
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
25uA
Id(imp)
36A
Kanaaltype
N
Kosten)
240pF
Markering op de kast
IRFI630G
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
35W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
9.4 ns
Td(uit)
39 ns
Technologie
Power MOSFET
Trr-diode (min.)
170 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Vishay

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor IRFI630G