N-kanaaltransistor IRFBC40, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 1300pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Dynamic dv/dt Rating. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 100uA. Id(imp): 25A. Kanaaltype: N. Kosten): 160pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 13 ns. Td(uit): 55 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:34