N-kanaaltransistor IRF830APBF, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.4 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. Aantal per doos: 1. C(inch): 620 ns. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). ID s (min): 25uA. Id(imp): 20A. Kanaaltype: N. Kosten): 93 ns. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 21 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Temperatuur: +105°C. Trr-diode (min.): 430 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14