N-kanaaltransistor IRF640N, TO-220, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220AB, 200V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 44.7nC. Aftapstroom: 18A. Afvoerbronspanning: 200V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1160pF. Conditionering: tubus. Functie: -. G-S-bescherming: nee. Huisvesting thermische weerstand: 1K/W. ID s (min): 25uA. Id(imp): 72A. Kanaaltype: N. Kosten): 185pF. Markering van de fabrikant: IRF640NPBF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: 20V, ±20V. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 167 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 150W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:27